Datasheet FZT792A - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: FZT792A
![]() 18 предложений от 10 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 2 А, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount | |||
FZT792A Diodes | 34 ₽ | ||
FZT792A | от 37 ₽ | ||
FZT792A Diodes | от 84 ₽ | ||
FZT792A Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, PNP, SOT-223
Краткое содержание документа:
SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995 FEATURES * High gain and Very low saturation voltage APPLICATIONS * Battery powered circuits COMPLEMENTARY TYPE PARTMARKING DETAIL PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage Temperature Range FZT692B FZT792A SYMBOL VCBO VCEO VEBO ICM IC Ptot Tj:Tstg
FZT792A
C
E C B
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 70 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 160 МГц
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- DC Collector Current: 2 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 2 А
- Current Ic @ Vce Sat: 2 А
- Current Ic Continuous a Max: 2 А
- Current Ic hFE: 500 мА
- DC Current Gain hFE: 300
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц
- Hfe Min: 250
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
- Pulsed Current Icm: 5 А
- SMD Marking: FZT792A
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vcbo: 75 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901