OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet ZTX618 - Diodes Даташит Транзистор, NPN E-LINE — Даташит

Diodes ZTX618

Наименование модели: ZTX618

25 предложений от 13 поставщиков
Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 3.5 А, 1 Вт, E-Line, Through Hole
Utmel
Весь мир
ZTX618STZ
Diodes
от 26 ₽
Akcel
Весь мир
ZTX618STZ
Diodes
от 27 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZTX618STZ
Diodes
41 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
ZTX618
2 261 ₽
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN E-LINE

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 JULY 1995 FEATURES * 10A Peak pulse current * Excellent hFE characteristics up to10A (pulsed) * Extremely low saturation voltage e.g.

7mV typ. * IC cont 3.5A APPLICATIONS * Power MOSFET gate driver in conjunction with complementary ZTX718
ZTX618
C B
E

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 В
  • Gain Bandwidth ft Typ: 140 МГц
  • Корпус транзистора: E-Line
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 255 мВ
  • Continuous Collector Current Ic Max: 3.5 А
  • Current Ic @ Vce Sat: 3.5 А
  • Current Ic Continuous a Max: 3.5 А
  • Current Ic hFE: 200 мА
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц
  • Hfe Min: 300
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: E-Line
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
  • Pulsed Current Icm: 10 А
  • Тип транзистора: Power Bipolar
  • Voltage Vcbo: 20 В

На английском языке: Datasheet ZTX618 - Diodes TRANSISTOR, NPN E-LINE

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России