Datasheet ZTX657 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Diodes ZTX657

Наименование модели: ZTX657

Купить ZTX657 на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 4 072 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line
AiPCBA Весь мир	ZTX657STZ Diodes	47 ₽
ChipWorker Весь мир	ZTX657STZ Diodes	47 ₽
Utmel Весь мир	ZTX657STZ Diodes	от 176 ₽
ТаймЧипс Россия	ZTX657L Diodes	по запросу

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ISSUE 2 JULY 94 FEATURES * 300 Volt VCEO * 0.5 Amp continuous current * Ptot=1 Watt
ZTX656 ZTX657
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
Gain Bandwidth ft Typ: 30 МГц
Power Dissipation Pd: 1 Вт
DC Collector Current: 500 мА
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+200°C
Корпус транзистора: E-Line
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
Continuous Collector Current Ic Max: 500 мА
Current Ic @ Vce Sat: 100 мА
Current Ic Continuous a Max: 500 мА
Current Ic hFE: 100 мА
DC Current Gain hFE: 50
Full Power Rating Temperature: 25°C
Gain Bandwidth ft Min: 30 МГц
Hfe Min: 50
Количество транзисторов: 1
Тип корпуса: E-Line
Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Voltage Vcbo: 300 В

RoHS: есть