Datasheet ZTX657 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит
Наименование модели: ZTX657
![]() 31 предложений от 19 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3Pin E-Line | |||
ZTX657 Diodes | 32 ₽ | ||
ZTX657L6 Diodes | по запросу | ||
ZTX657MITA Diodes | по запросу | ||
ZTX657L Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN, E-LINE
Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ISSUE 2 JULY 94 FEATURES * 300 Volt VCEO * 0.5 Amp continuous current * Ptot=1 Watt
ZTX656 ZTX657
C B
E
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 30 МГц
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
- DC Collector Current: 500 мА
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+200°C
- Корпус транзистора: E-Line
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 500 мА
- Current Ic @ Vce Sat: 100 мА
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Current Ic hFE: 100 мА
- DC Current Gain hFE: 50
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gain Bandwidth ft Min: 30 МГц
- Hfe Min: 50
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: E-Line
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Voltage Vcbo: 300 В
RoHS: есть