Datasheet ZTX689B - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит
Наименование модели: ZTX689B
![]() 20 предложений от 13 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line | |||
ZTX689B Diodes | от 22 ₽ | ||
ZTX689B Zetex | 43 ₽ | ||
ZTX689B Diodes | 80 ₽ | ||
ZTX689B Diodes | 84 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN, E-LINE
Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 1 MAY 94 FEATURES * 20 Volt VCEO * Gain of 400 at IC=2 Amps * Very low saturation voltage APPLICATIONS * Darlington replacement * Flash gun convertors * Battery powered circuits * Motor drivers
ZTX689B
C B
E
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 150 МГц
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
- DC Collector Current: 3 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+200°C
- Корпус транзистора: E-Line
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
- Current Ic @ Vce Sat: 2 А
- Current Ic Continuous a Max: 3 А
- Current Ic hFE: 2 А
- DC Current Gain hFE: 500
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц
- Hfe Min: 400
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: E-Line
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
- Pulsed Current Icm: 8 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Voltage Vcbo: 20 В
RoHS: есть