Datasheet ZTX694B - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Купить ZTX694B на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 120 ₽ 48 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
ЧипСити Россия	ZTX694B Diodes	32 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZTX694B Diodes	от 100 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZTX694B Diodes	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	ZTX694B Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIl 94 FEATURES * 120 Volt VCEO * Gain of 400 at IC=200mA * Very low saturation voltage APPLICATIONS * Darlington replacement * Relay / solenoid driver * Battery powered circuits * Motor drivers
ZTX694B
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 130 МГц
• Power Dissipation Pd: 1 Вт
• DC Collector Current: 500 мА
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 500 мА
• Current Ic @ Vce Sat: 400 мА
• Current Ic Continuous a Max: 500 мА
• Current Ic hFE: 200 мА
• DC Current Gain hFE: 500
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gain Bandwidth ft Min: 130 МГц
• Hfe Min: 400
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• Pulsed Current Icm: 1 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Voltage Vcbo: 120 В

RoHS: есть