Datasheet ZTX853 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Купить ZTX853 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.35 до 109 ₽ 43 предложений от 19 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW Automotive 3Pin E-Line
727GS Весь мир	ZTX853 Diodes	от 15 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZTX853 Zetex	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	ZTX853A Diodes	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	ZTX853 Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995 FEATURES * 100 Volt VCEO * 4 Amps continuous current * Up to 10 Amps peak current * Very low saturation voltage * Ptot=1.2 Watts
ZTX853
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 130 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +200°C

• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
• Current Ic @ Vce Sat: 4 А
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• Current Ic hFE: 2 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.2 Вт
• Pulsed Current Icm: 10 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Voltage Vcbo: 200 В

RoHS: есть