Datasheet ZTX857 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Купить ZTX857 на РадиоЛоцман.Цены — от 58 до 2 778 ₽ 43 предложений от 22 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 3 А, 1.2 Вт, E-Line, Through Hole
ChipWorker Весь мир	ZTX857STZ Diodes	58 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZTX857STZ Diodes	59 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	ZTX857 Diodes	от 104 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZTX857STOB	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIL 94 FEATURES * 300 Volt VCEO * 3 Amps continuous current * Up to 5 Amps peak current * Very low saturation voltage * Ptot= 1.2 Watt
ZTX857
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 80 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
• DC Collector Current: 3 А
• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 250 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Ic @ Vce Sat: 3 А
• Current Ic Continuous a Max: 3 А
• Current Ic hFE: 1 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.2 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Voltage Vcbo: 330 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL