Datasheet ZX5T849GTA - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: ZX5T849GTA
![]() 24 предложений от 12 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 7А; 3Вт; SOT223 | |||
ZX5T849GTA Diodes | от 6.60 ₽ | ||
ZX5T849GTA Zetex | 41 ₽ | ||
ZX5T849GTA Diodes | от 107 ₽ | ||
ZX5T849GTA Diodes | от 110 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN, SOT-223
Краткое содержание документа:
ZX5T849G
30V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
SUMMARY BVCEO = 30V : RSAT = 28m ; IC = 7A DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 30V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 140 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- DC Collector Current: 7 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 7 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 35 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 7 А
- Current Ic @ Vce Sat: 6.5 А
- Current Ic Continuous a Max: 7 А
- Current Ic hFE: 7 мА
- DC Current Gain hFE: 200
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Hfe Min: 100
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
- Pulsed Current Icm: 20 А
- Resistance R1: 28 МОм
- SMD Marking: X5T849
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vcbo: 80 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901