Datasheet ZX5T851GTA - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит

Купить ZX5T851GTA на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 2 031 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
AllElco Electronics Весь мир	ZX5T851GTA Diodes	от 13 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZX5T851GTA Diodes	от 64 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZX5T851GTA Diodes	от 529 ₽	Купить
Augswan Весь мир	ZX5T851GTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZX5T851G
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
SUMMARY BVCEO = 60V : RSAT = 35m ; IC = 6A DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new 5th generation low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 130 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
• DC Collector Current: 6 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 6 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 210 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 6 А
• Current Ic @ Vce Sat: 6 А
• Current Ic Continuous a Max: 6 А
• Current Ic hFE: 5 А
• DC Current Gain hFE: 200
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Hfe Min: 55
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Рассеиваемая мощность максимальная: 3 Вт
• Pulsed Current Icm: 20 А
• Resistance R1: 35 МОм
• SMD Marking: X5T851
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 150 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901