Datasheet ZXT13N50DE6 - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT23-6 — Даташит

Купить ZXT13N50DE6 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.99 до 1 963 ₽ 43 предложений от 21 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 4 А, 1.1 Вт, SOT-23, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	ZXT13N50DE6TA Diodes	35 ₽	Купить
Элитан Россия	ZXT13N50DE6 Diodes	44 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	ZXT13N50DE6	от 54 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	ZXT13N50DE6 (Philips-PBSS302ND,115)	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXT13N50DE6
SuperSOT4TM 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
SUMMARY VCEO=50V; RSAT = 36m ; IC= 4A
DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses.

This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES · · · · · · · · · Extremely Low Equivalent On Resistance Extremely Low Saturation Voltage hFE characterised up to 10A IC=4A Continuous Collector Current SOT23-6 package
SOT23-6

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 115 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 12 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 10 А
• Current Ic @ Vce Sat: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• Current Ic Typ: 5 А
• Current Ic hFE: 1 мА
• DC Current Gain hFE: 450
• Маркировка: ZXT13N50DE6
• Hfe Min: 300
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
• SMD Marking: N50D
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 100 В

RoHS: есть