Datasheet ZXT13P12DE6 - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT23-6 — Даташит

Купить ZXT13P12DE6 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.45 до 74 ₽ 47 предложений от 22 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 12 В, 4 А, 1.1 Вт, SOT-23, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	ZXT13P12DE6TA Diodes	34 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	ZXT13P12DE6TC Diodes	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	ZXT13P12DE6 Diodes	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	ZXT13P12DE6 Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXT13P12DE6
SuperSOT4TM 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
SUMMARY VCEO=-12V; RSAT = 37m ; IC= -4A
DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses.

This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES · · · · · · · · · Extremely Low Equivalent On Resistance Extremely Low Saturation Voltage hFE characterised up to 15A IC=4A Continuous Collector Current SOT23-6 package
SOT23-6

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 55 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 10 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 15 А
• Current Ic @ Vce Sat: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• Current Ic Typ: 4 А
• Current Ic hFE: 1 мА
• DC Current Gain hFE: 500
• Маркировка: ZXT13P12DE6
• Hfe Min: 300
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
• SMD Marking: P12D
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 20 В

RoHS: есть