Datasheet ZXTCM322 - Diodes Даташит Транзистор, NPN MLP-322 — Даташит
Наименование модели: ZXTCM322
 Купить ZXTCM322 на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 1 150 ₽10 предложений от 9 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 50V 4A 3Pin MLP T/R | |||
| ZXTCM322TA Diodes | 18 ₽ | ||
| ZXTCM322TA Diodes | от 1 150 ₽ | ||
| ZXTCM322TA Diodes | по запросу | ||
| ZXTCM322TA Diodes | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN MLP-322
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
ZXTCM322
MPPSTM Miniature Package Power Solutions 50V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR
SUMMARY VCEO= 50V; RSAT = 68m ; IC= 4A DESCRIPTION
Packaged in the innovative 2mm x 2mm MLP (Micro Leaded Package) outline, this new 4th generation low saturation transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
Additionally users will also gain several other key benefits: Performance capability equivalent to much larger packages Improved circuit efficiency & power levels Lower package height (nom 0.9mm) PCB area and device placement savings Reduced component count 2mm x 2mm MLP (single die)
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 165 МГц
- Корпус транзистора: MLP-322
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 320 мВ
- Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
- Current Ic @ Vce Sat: 4 А
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- Current Ic hFE: 200 мА
- Маркировка: SC
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Gain Bandwidth ft Min: 100 МГц
- Hfe Min: 300
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: MLP-322
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.5 Вт
- Pulsed Current Icm: 6 А
- SMD Marking: SC
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power Bipolar
- Voltage Vcbo: 100 В
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
