Datasheet ZXTN19100CFFTA - Diodes Даташит TRANSITOR, NPN, SOT-23F — Даташит

Купить ZXTN19100CFFTA на РадиоЛоцман.Цены — от 7.07 до 58 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, 100V, SOT23F, NPN high gain power transistor
AllElco Electronics Весь мир	ZXTN19100CFFTA Diodes	от 7.07 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXTN19100CFFTA Diodes	13 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZXTN19100CFFTA Diodes	от 22 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	ZXTN19100CFFTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: TRANSITOR, NPN, SOT-23F

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTN19100CFF 100V, SOT23F, NPN high gain power transistor
Summary
BVCEX > 200V BVCEO > 100V BVECO > 5V IC(cont) = 4.5A VCE(sat) < 60mV @ 1A RCE(sat) = 38m PD = 1.5W Complementary part number ZXTP19100CFF
Description
Advanced process capability has been used to maximise the performance of this transistor.

The SOT23F package is compatible with the industry standard SOT23 footprint but offers lower profile and higher dissipation for applications where power density is of utmost importance

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 150 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
• DC Collector Current: 4.5 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23F
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 235 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 4.5 А
• Current Ic @ Vce Sat: 4.5 А
• Current Ic Continuous a Max: 4.5 А
• Current Ic hFE: 1 А
• DC Current Gain hFE: 350
• Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц
• Hfe Min: 130
• Тип корпуса: SOT-23F
• Peak Current Icm: 6 А
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.5 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: High Gain Power
• Turn Off Time: 133 нс
• Turn On Time: 23.6 нс
• Voltage Vcbo: 200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE901
• STANNOL - 631954