Datasheet ZXTN2010GTA - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: ZXTN2010GTA
![]() 34 предложений от 15 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | |||
ZXTN2010GTA Diodes | 62 ₽ | ||
ZXTN2010GTA Diodes | от 86 ₽ | ||
ZXTN2010GTA Diodes | от 96 ₽ | ||
ZXTN2010GTA | 3 635 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Транзистор, NPN, SOT-223
Краткое содержание документа:
ZXTN2010G
60V NPN MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
SUMMARY BVCEO = 60V : RSAT = 35m ; IC = 6A DESCRIPTION
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Gain Bandwidth ft Typ: 130 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.6 Вт
- DC Collector Current: 6 А
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 30 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 6 А
- DC Current Gain hFE: 200
- Hfe Min: 100
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть