Datasheet ZXTN2010ZTA - Diodes Даташит TRANS, NPN, LO SAT, 60 В, 5 А, SOT89 — Даташит
Наименование модели: ZXTN2010ZTA
![]() 45 предложений от 18 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ; Region : ACNA | |||
ZXTN2010ZTA Diodes | 29 ₽ | ||
ZXTN2010ZTA Diodes | 36 ₽ | ||
ZXTN2010ZTA Diodes | от 49 ₽ | ||
ZXTN2010ZTA Diodes | 59 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: TRANS, NPN, LO SAT, 60 В, 5 А, SOT89
Краткое содержание документа:
ZXTN2010Z
60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
SUMMARY BVCEO = 60V : RSAT = 30m ; IC = 5A DESCRIPTION
Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.
FEATURES
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- DC Collector Current: 5 А
- DC Current Gain: 200
- Transition Frequency Typ ft: 130 МГц
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-89
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт
- Частота единичного усиления типовая: 130 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)