Datasheet ZXTN2031FTA - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTN2031FTA на РадиоЛоцман.Цены — от 7.95 до 273 ₽ 29 предложений от 15 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R
AiPCBA Весь мир	ZXTN2031FTA Diodes	17 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZXTN2031FTA Diodes	21 ₽	Купить
Maybo Весь мир	ZXTN2031FTA Diodes	63 ₽	Купить
Эиком Россия	ZXTN2031FTA Diodes	от 70 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTN2031F 50V, SOT23, NPN medium power transistor
Summary
V(BR)CEV > 80V, V(BR)CEO > 50V IC(cont) = 5A RCE(sat) = 24m PD = 1.2W Complementary part number: ZXTP2025F typical VCE(sat) < 40mV @ 1A
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 125 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
• DC Collector Current: 5 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 18 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 5 А
• Current Gain Hfe Max: 125
• Current Ic Continuous a Max: 5 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Min: 190
• DC Current Gain hFE: 350
• Hfe Min: 190
• Hfe Typ: 300
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• SMD Marking: 322
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 80 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть