Datasheet ZXTN25012EFLTA - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTN25012EFLTA на РадиоЛоцман.Цены — от 3.91 до 65 ₽ 26 предложений от 14 поставщиков Транзистор биполярный BJT 50 нА 12 В 350мВт 55 при 15 А, 2 В 2 А 260 МГц 230 мВ при...
ChipWorker Весь мир	ZXTN25012EFLTA Diodes	13 ₽	Купить
727GS Весь мир	ZXTN25012EFLTA Diodes	65 ₽	Купить
SUV System Весь мир	ZXTN25012EFLTA	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZXTN25012EFLTA	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTN25012EFL 12V, SOT23, NPN low power transistor
Summary
BVCEO > 12V BVECO > 4.5V hFE > 500 IC(cont) = 2A VCE(sat) < 65 mV @ 1A RCE(sat) = 46 m PD = 350mW
Description
Advanced process capability has been used to achieve high current gain hold up making this device ideal for applications requiring high pulse currents.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 260 МГц
• Power Dissipation Pd: 350 мВт
• DC Collector Current: 5 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 130 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 2 А
• Current Ib: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 5 А
• Current Ic hFE: 2 А
• DC Current Gain hFE: 800
• Hfe Min: 370
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 350 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Turn Off Time: 72 нс
• Turn On Time: 70 нс
• Voltage Vcbo: 20 В

RoHS: есть