Datasheet ZXTN25020DFH - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTN25020DFH на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 113 ₽ 19 предложений от 9 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 20В; 4,5А; 1,25Вт; SOT23
Элитан Россия	ZXTN25020DFH Diodes	33 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZXTN25020DFH Diodes	от 38 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	ZXTN25020DFH Diodes	от 52 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	ZXTN25020DFH Zetex	63 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTN25020DFH 20V SOT23 NPN medium power transistor
Summary
BVCEX > 100V; BV(BR)CEO > 20V BVECO > 5V; IC(CONT) = 4.5A RCE(sat) = 28 m PD = 1.25W Complementary part number ZXTP25020DFH typical VCE(sat) < 43 mV @ 1A;
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 215 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• DC Collector Current: 4.5 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 43 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 4.5 А
• Current Gain Hfe Max: 900
• Current Ic Continuous a Max: 4.5 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Max: 900
• DC Current Gain Hfe Min: 300
• DC Current Gain hFE: 450
• Hfe Min: 300
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
• SMD Marking: 016
• Tape Width: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 100 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть