Datasheet ZXTN25050DFH - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTN25050DFH на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 63 ₽ 15 предложений от 8 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TRANSISTOR, NPN, 50V, 4A, 1.25W, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transitio...
AiPCBA Весь мир	ZXTN25050DFH Diodes	48 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	ZXTN25050DFH	от 48 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZXTN25050DFH Diodes	от 48 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	ZXTN25050DFH Zetex	63 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTN25050DFH 50V, SOT23, NPN medium power transistor
Summary
BVCEX > 150V BVCEO > 50V BVECO > 5V IC(cont) = 4A VCE(sat) < 60mV @ 1A RCE(sat) = 40m PD = 1.25W
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 200 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 60 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
• Current Gain Hfe Max: 900
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Max: 900
• DC Current Gain Hfe Min: 300
• DC Current Gain hFE: 450
• Hfe Min: 300
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
• SMD Marking: 017
• Tape Width: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 150 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть