Datasheet ZXTP25100BFH - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTP25100BFH на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 65 ₽ 7 предложений от 5 поставщиков Транзисторы - Биполярные Одиночные
ChipWorker Весь мир	ZXTP25100BFH Diodes	22 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXTP25100BFH Diodes	38 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	ZXTP25100BFH Diodes	от 46 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	ZXTP25100BFH Zetex	65 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTP25100BFH 100V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
BV(BR)CEX > -140V, BV(BR)CEO > -100V BV(BR)ECX > -7V ; IC(cont) = -2A VCE(sat) < -130mV @ -1A RCE(sat) = 108m PD = 1.25W Complementary part number ZXTN25100BFH typical
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 200 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• DC Collector Current: 2 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 90 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 2 А
• Current Gain Hfe Max: 300
• Current Ic Continuous a Max: 2 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Max: 300
• DC Current Gain Hfe Min: 100
• DC Current Gain hFE: 200
• Hfe Min: 100
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
• SMD Marking: 056
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 140 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть