Datasheet ZXT10P12DE6TA - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT23-6 — Даташит

Купить ZXT10P12DE6TA на РадиоЛоцман.Цены — от 4.58 до 2 037 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков , 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ChipWorker Весь мир	ZXT10P12DE6TA Zetex	15 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXT10P12DE6TA Diodes	36 ₽	Купить
ЭИК Россия	ZXT10P12DE6TA Diodes	от 53 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	ZXT10P12DE6TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT23-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXT10P12DE6
SuperSOTTM 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
SUMMARY VCEO=-12V; RSAT = 65m ; IC= -3A
DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses.

This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES · · · · · · · · · Low Equivalent On Resistance Extremely Low Saturation Voltage hFE characterised up to 10A IC=3A Continuous Collector Current SOT23-6 package
SOT23-6

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 110 МГц
• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Ib: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: -3 А
• Current Ic hFE: 2.5 А
• Gain Bandwidth ft Min: 80 МГц
• Hfe Min: 180
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Peak Current Icm: 10 А
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
• Voltage Vcbo: 12 В

RoHS: есть