Datasheet ZXTN25100BFH - Diodes Даташит Транзистор, NPN, SOT-23 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTN25100BFH 100V, SOT23, medium power transistor
Summary
BVCEX > 170V BVCEO > 100V BVECO > 6V IC(cont) = 3A VCE(sat) < 80mV @ 1A RCE(sat) = 67m PD = 1.25W Complementary part number ZXTP25100BFH
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 160 МГц
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 55 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Gain Hfe Max: 300
• Current Ic Continuous a Max: 3 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Max: 300
• DC Current Gain Hfe Min: 100
• Hfe Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.25 Вт
• SMD Marking: 021
• Tape Width: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 170 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть