Datasheet ZTX688B - Diodes Даташит Транзистор, NPN, E-LINE — Даташит

Купить ZTX688B на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 83 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков TRANS NPN 12V 3000MA E-LINE
AiPCBA Весь мир	ZTX688B Diodes	74 ₽	Купить
Maybo Весь мир	ZTX688B Diodes	83 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZTX688B	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZTX688B Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, NPN, E-LINE

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ISSUE 2 MAY 94 FEATURES * 12 Volt VCEO * Gain of 400 at IC=3 Amps * Very low saturation voltage APPLICATIONS * Darlington replacement * Flash gun convertors * Battery powered circuits * Motor drivers
ZTX688B
C B
E

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 150 МГц
• Power Dissipation Pd: 1 Вт
• DC Collector Current: 3 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +200°C

• Корпус транзистора: E-Line
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 350 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Ic @ Vce Sat: 3 А
• Current Ic Continuous a Max: 3 А
• Current Ic hFE: 3 А
• DC Current Gain hFE: 500
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц
• Hfe Min: 400
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: E-Line
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• Pulsed Current Icm: 10 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Voltage Vcbo: 12 В

RoHS: есть