Datasheet ZXTP2027FTA - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTP2027FTA на РадиоЛоцман.Цены — от 8.21 до 2 514 ₽ 25 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT PNP 60V 4A 1560mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R
ChipWorker Весь мир	ZXTP2027FTA Diodes	18 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXTP2027FTA Diodes	35 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXTP2027FTA Diodes	38 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	ZXTP2027FTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTP2027F 60V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
V(BR)CEV > -100V, V(BR)CEO > -60V IC(cont) = -4A RCE(sat) = 31 m PD = 1.2W Complementary part number ZXTN2018F typical VCE(sat) < -60 mV @ -1A
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 165 МГц
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -25 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 4 А
• Current Gain Hfe Max: 145
• Current Ic Continuous a Max: -4 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Min: 100
• Hfe Min: 100
• Hfe Typ: 250
• Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
• Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.2 Вт
• SMD Marking: 951
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 100 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE901