Datasheet ZXTP2029FTA - Diodes Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Купить ZXTP2029FTA на РадиоЛоцман.Цены — от 7.95 до 63 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R
ЧипСити Россия	ZXTP2029FTA Diodes	25 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	ZXTP2029FTA Diodes	от 29 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	ZXTP2029FTA Zetex	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	ZXTP2029FTA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXTP2029F 100V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
V(BR)CEV > -130V, V(BR)CEO > -100V IC(cont) = -3A RCE(sat) = 45m PD = 1.2W Complementary part number ZXTN2020F typical VCE(sat) < -80mV @ -1A
Description
Advanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor.

The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Gain Bandwidth ft Typ: 150 МГц
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -30 мВ
• Continuous Collector Current Ic Max: 3 А
• Current Gain Hfe Max: 75
• Current Ic Continuous a Max: -4 А
• Current Ic hFE: 10 мА
• DC Current Gain Hfe Min: 100
• Hfe Min: 100
• Hfe Typ: 220
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт
• SMD Marking: 953
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vcbo: 130 В
• Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 10 мА

RoHS: есть