Datasheet MMBT5551 - Fairchild Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: MMBT5551
![]() 82 предложений от 37 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 160Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 180Максимальный постоянный ток коллектора, А: 0,6Максимальная рассеиваемая мощность,... | |||
MMBT5551 | от 0.46 ₽ | ||
MMBT5551-SOT-23 | 0.51 ₽ | ||
MMBT5551 (Jingdao) | 0.67 ₽ | ||
MMBT5551 NTE Electronics | 14 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, SOT23
Краткое содержание документа:
2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose Amplifier
April 2006
2N5551- MMBT5551
NPN General Purpose Amplifier
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
- DC Collector Current: 600 мА
- DC Current Gain: 250
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Collector Current Ic: 600 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 250
- Частота единичного усиления типовая: 300 МГц
- DC Current Gain Min: 80
- Noise Figure Typ: 8 дБ
- Тип корпуса: SOT23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 350 мВт
- RF Transistor Case: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Test Frequency: 15.7 кГц
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- ON Semiconductor - MMBT5551LT1G
- Roth Elektronik - RE901
- STANNOL - 574601