Datasheet MMBT5551 - Fairchild Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: MMBT5551
![]() 81 предложений от 35 поставщиков Транзисторы биполярные.Описание: Транзистор биполярный NPN; 160 В; 0,6 А; hFE 50…; SOT-23Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 160Максимальное напряжение КБ... | |||
MMBT5551 | 0.48 ₽ | ||
MMBT5551_R1_00001 | от 1.80 ₽ | ||
MMBT5551 | от 2.16 ₽ | ||
MMBT5551 Diotec | от 3.25 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, SOT23
Краткое содержание документа:
2N5551- MMBT5551 NPN General Purpose Amplifier
April 2006
2N5551- MMBT5551
NPN General Purpose Amplifier
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
- Рассеиваемая мощность: 350 мВт
- DC Collector Current: 600 мА
- DC Current Gain: 250
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Continuous Collector Current Ic: 600 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 250
- Частота единичного усиления типовая: 300 МГц
- DC Current Gain Min: 80
- Noise Figure Typ: 8 дБ
- Тип корпуса: SOT23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 350 мВт
- RF Transistor Case: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Test Frequency: 15.7 кГц
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- ON Semiconductor - MMBT5551LT1G
- Roth Elektronik - RE901
- STANNOL - 574601