Datasheet MMBTA13 - Fairchild Даташит Составной транзистор Дарлингтона, SOT-23 — Даташит

Купить MMBTA13 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.47 до 6.62 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков Транзистор NPN составной (Uce=30V, Ic=1.2A, P=350mW, B>5000@I=10mA, f=125MHz, -55 to +150C)
Элитан Россия	MMBTA13LG ON Semiconductor	1.47 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	MMBTA13LT1 ON Semiconductor	1.57 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	MMBTA13_11 MCC	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	MMBTA13TR	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBTA13 NPN Darlington Transistor
January 2005
MMBTA13
NPN Darlington Transistor
· This device is designed for applications requiring extremely high Current gain at collector Currents to 1.0A.

· Sourced from process 05. · See MPSA14 for characteristics.

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
• Частота единичного усиления типовая: 125 МГц
• Power Dissipation Pd: 350 мВт
• DC Collector Current: 1.2 А
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 1.2 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 300 мА
• Current Ic Continuous a Max: 1.2 А
• DC Current Gain: 10 А
• Маркировка: MMBTA13
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Частота единичного усиления минимальная: 125 МГц
• DC Current Gain Min: 10000
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 350 мВт
• SMD Marking: 1M
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 30 В

RoHS: есть