Datasheet FJY3012R - Fairchild Даташит Транзистор, цифровой NPN SOT-523F — Даташит
Наименование модели: FJY3012R
![]() 7 предложений от 7 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F | |||
FJY3012R ON Semiconductor | 153 ₽ | ||
FJY3012R | 356 ₽ | ||
FJY3012R Fairchild | по запросу | ||
FJY3012R ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Транзистор, цифровой NPN SOT-523F
Краткое содержание документа:
FJY3012R NPN Epitaxial Silicon Transistor
July 2007
FJY3012R
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- Корпус транзистора: SOT-523
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Current Gain: 100
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-523F
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
- Обратный ток перехода база-коллектор: 40 В
RoHS: есть