Datasheet FJY3013R - Fairchild Даташит Транзистор, цифровой NPN SOT-523F — Даташит
Наименование модели: FJY3013R
9 предложений от 9 поставщиков Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SC-89-3 | |||
FJY3013R ON Semiconductor | 1.11 ₽ | ||
FJY3013R | по запросу | ||
FJY3013R ON Semiconductor | по запросу | ||
FJY3013R ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Транзистор, цифровой NPN SOT-523F
Краткое содержание документа:
FJY3013R NPN Epitaxial Silicon Transistor
July 2007
FJY3013R
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
- Power Dissipation Pd: 200 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- Корпус транзистора: SOT-523
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Current Gain: 56
- DC Current Gain Min: 56
- Тип корпуса: SOT-523F
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
- Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
- Входное напряжение включения: 1.1 В
RoHS: есть