Datasheet BCR523 - Infineon Даташит Транзистор, цифровой, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BCR523
![]() 46 предложений от 25 поставщиков Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 1 кОм+10 кОм | |||
BCR523UE6327 Infineon | от 21 ₽ | ||
BCR523UE6327 | от 27 ₽ | ||
BCR523 E6327 Infineon | по запросу | ||
BCR523E6327 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Транзистор, цифровой, SOT-23
Краткое содержание документа:
BCR523
NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=1k , R2=10k )
C 3
3
Thermal Resistance Junction - soldering point1) RthJS
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 330 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Av Current Ic: 500 мА
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- DC Current Gain: 5 мА
- Full Power Rating Temperature: 79°C
- DC Current Gain Min: 70
- DC Current Gain Typ: 70
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Pin Format: 1B, 2E, 3C
- Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт
- Resistance R1: 1 кОм
- Resistance R2: 10 кОм
- SMD Marking: XGs
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
- Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
- Входное напряжение включения: 12 В
- Voltage Vi on @ Ic 2mA: 0.4 В
RoHS: есть