Datasheet BDP949 - Infineon Даташит Транзистор, NPN, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BDP949
![]() 20 предложений от 17 поставщиков Транзистор биполярный SMD NPN 60V 3A 3W B:85-475 | |||
BDP949 E6327 Infineon | от 7.68 ₽ | ||
BDP949 E6327 Infineon | от 7.68 ₽ | ||
BDP949 Infineon | 24 ₽ | ||
BDP949 H6327 Infineon | 35 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Транзистор, NPN, SOT-223
Краткое содержание документа:
BDP947, BDP949
Silicon NPN Transistors · For AF driver and output stages · High collector current · High current gain · Low collector-emitter saturation voltage · Complementary types: BDP948, BDP950 (PNP)
4 2 1 3
Type BDP947 BDP949
Maximum Ratings Parameter
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 3 Вт
- DC Collector Current: 3 А
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- Collector Emitter Voltage Vces: 500 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 3 А
- Current Ic Continuous a Max: 3 А
- DC Current Gain: 500 мА
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 40
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.5 Вт
- Pulsed Current Icm: 5 А
- SMD Marking: BDP 949
- Способ монтажа: SMD
- Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901