Datasheet MJ11016 - Multicomp Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 — Даташит
Наименование модели: MJ11016
![]() 64 предложений от 32 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 120 В, 30 А, 200 Вт, TO-204AA, Through Hole | |||
MJ11016G ON Semiconductor | 267 ₽ | ||
MJ11016G ON Semiconductor | 345 ₽ | ||
MJ11016G | от 455 ₽ | ||
MJ11016/SGS Inchange Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Multicomp
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3
Краткое содержание документа:
MJ11016
designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features:
· High gain darlington performance.
· High DC current gain hFE = 1000(Minimum) at lc = 20 A. · Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
TO-3
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- DC Collector Current: 30 А
- Корпус транзистора: TO-3
- Количество выводов: 2
- Av Current Ic: 30 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 30 А
- Current Ic Continuous a Max: 30 А
- DC Current Gain: 20 А
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 1000
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3
- Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: Darlington
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - SK 04/50 SA