Datasheet SMBT2907A - Infineon Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Купить SMBT2907A на РадиоЛоцман.Цены — от 1.62 до 189 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков PNP Silicon Switching Transistor Low collector-emitter saturation voltage
AiPCBA Весь мир	SMBT2907A E6327 Infineon	1.62 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SMBT2907A / MMBT2907A - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	SMBT2907A/MMBT2907A Infineon	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	SMBT2907A_07 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SMBT2907A/MMBT2907A
PNP Silicon Switching Transistor · High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA · Low collector-emitter saturation voltage · Complementary type: SMBT2222A / MMBT2222A (NPN)
3 1
2
Type Marking SMBT2907A/MMBT2907A s2F

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
• Power Dissipation Pd: 330 мВт
• DC Collector Current: 600 мА
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Collector Emitter Voltage Vces: 400 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 600 мА
• DC Current Gain Max: 300
• Current Ic @ Vce Sat: 150 мА
• Current Ic Continuous a Max: 600 мА
• DC Current Gain: 150 мА
• Частота единичного усиления минимальная: 200 МГц
• DC Current Gain Min: 100
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 330 мВт
• Pulsed Current Icm: 600 мА
• SMD Marking: 2F
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В

RoHS: есть