Datasheet 2N3054 - NTE Electronics Даташит Транзистор — Даташит
Наименование модели: 2N3054
 Купить 2N3054 на РадиоЛоцман.Цены — от 336 до 5 639 ₽18 предложений от 18 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, 2N Series 55V 4A NPN Through Hole Silicon Power Transistor - TO-66 | |||
| 2N3054 NTE Electronics | 336 ₽ | ||
| 2N3054 NTE Electronics | 358 ₽ | ||
| 2N3054 Central Semiconductor | 626 ₽ | ||
| 2N3054A Microchip | 1 187 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Транзистор
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
NTE38 (PNP) & NTE175 (NPN) Silicon Complementary Transistors High Voltage, Medium Power Switch TO66 Type Package
Description: The NTE38 (PNP) and NTE175 (NPN) are complementary silicon transistors in a TO66 type package designed for high-speed switching and linear amplifier applications for high-voltage operational amplifiers, switching regulators, converters, inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.
Features: D TO66 Type Package D Collector-Emitter Sustaining Voltage: NTE38: VCEO(sus) = 350V @ IC = 200mA NTE175: VCEO(sus) = 300V @ IC = 200mA D Second Breakdown Collector Current: NTE38 IS/b = 875mA @ VCE = 40V NTE175 IS/b = 350mA @ VCE = 100V D Usable DC Current Gain to 2.0Adc Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- Корпус транзистора: TO-66
- Количество выводов: 2
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 750 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 2 А
- DC Current Gain: 40
- DC Current Gain Min: 25
- Тип корпуса: TO-66
- Способ монтажа: Through Hole
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 205 SA L
