Datasheet NTE103A - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, NPN, 32 В, TO-1 — Даташит
Наименование модели: NTE103A
![]() 19 предложений от 11 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; германиевый; 32В; 1А; 650мВт; TO1 | |||
NTE103A | от 155 ₽ | ||
NTE103A NTE Electronics | 540 ₽ | ||
NTE-103A | по запросу | ||
NTE103A | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Мощность транзистор, NPN, 32 В, TO-1
Краткое содержание документа:
NTE102A (PNP) & NTE103A (NPN) Germanium Complementary Transistors Medium Power Amplifier
Description: The NTE102A (PNP) and NTE103A (NPN) are Germanium complementary transistors in a TO1 type package designed for use as a medium power amplifier.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650mW Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 32 В
- Power Dissipation Pd: 175 Вт
- DC Collector Current: 15 А
- DC Current Gain Max (hfe): 69
- Количество выводов: 3
- Power (Ptot): 175 Вт