Datasheet NTE129P - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -80 В — Даташит
Наименование модели: NTE129P
![]() 18 предложений от 9 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-237 PNP 80V 1A | |||
NTE129P NTE Electronics | 103 ₽ | ||
NTE129P NTE Electronics | от 677 ₽ | ||
NTE129P/SUB NTE Electronics | по запросу | ||
NTE129P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -80 В
Краткое содержание документа:
NTE128P (NPN) & NTE129P (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp
Description: The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use in general purpose power amplifier and switching applications.
Features: D High VCE Ratings D Exceptional Power Dissipation Capability Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current , IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Power Dissipation, PTOT TA = +25°
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Transition Frequency Typ ft: 50 МГц
- Power Dissipation Pd: 850 мВт
- DC Collector Current: -1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 300