Datasheet NTE159M - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -60 В TO-18 — Даташит
Наименование модели: NTE159M
Купить NTE159M на РадиоЛоцман.Цены — от 95 до 11 225 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN | |||
NTE159M | от 95 ₽ | ||
NTE159M NTE Electronics | 119 ₽ | ||
NTE159M. NTE Electronics | по запросу | ||
NTE159M | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -60 В TO-18
Краткое содержание документа:
NTE123A (NPN) & NTE159M (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE123A (NPN) and NTE159M (PNP) are widely used "Industry Standard" complementary transistors in a TO18 type case designed for applications such as mediumspeed switching and amplifiers from audio to VHF frequencies.
Features: D Low Collector Saturation Voltage: 1V (Max) D High Current GainBandwidth Product: fT = 300MHz (Min) @ IC 20mA Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V CollectorBase Voltage, VCBO NTE123A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V NTE159M . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60 В
- Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
- Power Dissipation Pd: 400 мВт
- DC Collector Current: -600 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 100
RoHS: есть