Datasheet NTE196 - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, NPN, 70 В, TO-220 — Даташит
Наименование модели: NTE196
![]() 30 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-220 NPN 70V 7A | |||
NTE196 NTE Electronics | от 335 ₽ | ||
NTE196 NTE Electronics | от 393 ₽ | ||
NTE196 NTE Electronics | 7 000 ₽ | ||
NTE-196 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Мощность транзистор, NPN, 70 В, TO-220
Краткое содержание документа:
NTE196 (NPN) & NTE197 (PNP) Silicon Complementary Transistors Audio Power Output and Medium Power Switching
Description: The NTE196 (NPN) and NTE197 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type package designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
Features: D DC Current Gain Specified to 7 Amps: hFE = 2.3 Min @ IC = 7A D CollectorEmitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 70V Min D High CurrentGain Bandwidth Product: fT = 4MHz Min @ IC = 500mA (NTE196) = 10MHz Min @ IC = 500mA (NTE197) Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Coll
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 70 В
- Transition Frequency Typ ft: 4 МГц
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- DC Collector Current: 7 А
- DC Current Gain Max (hfe): 30
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Multicomp - 2N6292.
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB