Datasheet NTE197 - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, PNP, -70 В, TO-220 — Даташит

Купить NTE197 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 1 173 ₽ 13 предложений от 9 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Зенер Россия и страны ТС	NTE197	275 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE197 NTE Electronics	1 173 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	NTE197	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	NTE-197	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Мощность транзистор, PNP, -70 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE196 (NPN) & NTE197 (PNP) Silicon Complementary Transistors Audio Power Output and Medium Power Switching
Description: The NTE196 (NPN) and NTE197 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type package designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

Features: D DC Current Gain Specified to 7 Amps: hFE = 2.3 Min @ IC = 7A D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 70V Min D High Current­Gain Bandwidth Product: fT = 4MHz Min @ IC = 500mA (NTE196) = 10MHz Min @ IC = 500mA (NTE197) Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Coll

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -70 В
• Transition Frequency Typ ft: 10 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.67 Вт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 90