Datasheet NTE218 - NTE Electronics Даташит Аудио мощность транзистор, PNP, 80 В, TO-66 — Даташит
Наименование модели: NTE218
![]() 23 предложений от 10 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 4А; 40Вт; TO66 | |||
NTE218 | от 111 ₽ | ||
NTE218 NTE Electronics | от 1 055 ₽ | ||
NTE218 | 49 548 ₽ | ||
NTE-218 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Аудио мощность транзистор, PNP, 80 В, TO-66
Краткое содержание документа:
NTE218 Silicon PNP Transistor Audio Power Output
Description: The NTE218 is ideal for use as a driver, switch and mediumpower amplifier applications.
This device features: Features: D Low Saturation Voltage 0.6VCE(sat) @ IC = 1A D High Gain Characteristics hFE @ IC = 250mA: 30100 D Excellent Safe Area Limits Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Transition Frequency Typ ft: 3 МГц
- Рассеиваемая мощность: 25 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain: 100
RoHS: есть