Datasheet NTE219 - NTE Electronics Даташит Мощность транзистор, PNP, -60 В, TO-3 — Даташит
Наименование модели: NTE219
![]() 22 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 PNP 60V 15A | |||
NTE219 NTE Electronics | 365 ₽ | ||
NTE219 NTE Electronics | от 1 104 ₽ | ||
NTE219 | по запросу | ||
NTE219 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Мощность транзистор, PNP, -60 В, TO-3
Краткое содержание документа:
NTE130 (NPN) & NTE219 (PNP) Silicon Power Transistor Audio Power Amp, Medium Speed Switch
Description: The NTE130 (NPN) and NTE219 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for general purpose switching and amplifier applications.
Features: D DC Current Gain: hFE = 20 70 @ IC = 4A D CollectorEmitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.1V (Max) @ IC = 4A D Excellent Safe Operating Area Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V CollectorEmitter Voltage, VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Transition Frequency Typ ft: 2.5 МГц
- Power Dissipation Pd: 115 Вт
- DC Collector Current: 15 А
- DC Current Gain Max (hfe): 70
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K