Datasheet NTE2310 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 450 В, TO-218 — Даташит
Наименование модели: NTE2310
![]() 19 предложений от 9 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT | |||
NTE2310 | от 169 ₽ | ||
NTE2310 NTE Electronics | 559 ₽ | ||
NTE2310 | от 1 196 ₽ | ||
NTE2310 NTE Electronics | от 2 294 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 450 В, TO-218
Краткое содержание документа:
NTE2310 Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch
Description: The NTE2310 is a silicon multiepitaxial mesa NPN transistor in a TO218 type package designed for use in high voltage, fast switching industrial applications.
Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage (VBE = 0), VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V CollectorEmitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A Peak (tp 2ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A Base Current, IB Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450 В
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- DC Collector Current: 8 А
- DC Current Gain Max (hfe): 10
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +175°C
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB