Datasheet NTE2350 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -120 В, TO-3 — Даташит

Купить NTE2350 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 421 до 168 284 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 PNP 120V 100A
AiPCBA Весь мир	NTE2350 NTE Electronics	1 495 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2350	168 284 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE2350	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTE2350	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -120 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2349 (NPN) & NTE2350 (PNP) Silicon Darlington Transistors High Current, General Purpose
Description: The NTE2349 (NPN) and NTE2350 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type package designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.

Features: D High DC Current Gain:
hFE = 1000 (Min) @ IC = 25A hFE = 400 (Min) @ IC = 50A D Diode Protection to Rated IC D Monolithic Construction w/Built­In Base­Emitter Shunt Resistor D Junction Temperature to +200°C Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -120 В
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• DC Collector Current: -50 А
• DC Current Gain Max (hfe): 1000

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K