Datasheet NTE245 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-3 — Даташит

Купить NTE245 на РадиоЛоцман.Цены — от 116 до 1 136 ₽ 20 предложений от 11 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 10А; 150Вт; TO3
ЧипСити Россия	NTE245 NTE Electronics	521 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE245 NTE Electronics	от 849 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE245 NTE Electronics	по запросу	Купить
МосЧип Россия	NTE-245	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE245 (NPN) & NTE246 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE245 (NPN) and NTE246 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 4000 Typ @ IC = 5A D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• DC Collector Current: 10 А
• DC Current Gain Max (hfe): 1000
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +200°C

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K