Datasheet NTE246 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -80 В, TO-3 — Даташит
Наименование модели: NTE246
![]() 13 предложений от 8 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 PNP 80V 10A | |||
NTE246 | от 118 ₽ | ||
NTE246 NTE Electronics | 348 ₽ | ||
NTE246 NTE Electronics | 540 ₽ | ||
NTE246 | 53 052 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -80 В, TO-3
Краткое содержание документа:
NTE245 (NPN) & NTE246 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE245 (NPN) and NTE246 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.
Features: D High DC Current Gain: hFE = 4000 Typ @ IC = 5A D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80 В
- Power Dissipation Pd: 625 мВт
- DC Collector Current: 300 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 1000
RoHS: есть