Datasheet NTE248 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, TO-3 — Даташит
Наименование модели: NTE248
![]() 15 предложений от 9 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 PNP 100V 12A | |||
NTE248 NTE Electronics | 538 ₽ | ||
NTE248 NTE Electronics | 822 ₽ | ||
NTE248 | от 1 050 ₽ | ||
NTE-248 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -100 В, TO-3
Краткое содержание документа:
NTE247 (NPN) & NTE248 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE247 (NPN) and NTE248 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for generalpurpose amplifier and lowfrequency switching applications.
Features: D High DC Current Gain: hFE = 3500 Typ @ IC = 5A D CollectorEmitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100 В
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- DC Collector Current: -12 А
- DC Current Gain Max (hfe): 750
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K