Datasheet NTE250 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -100 В TO-3 — Даташит

Купить NTE250 на РадиоЛоцман.Цены — от 173 до 73 425 ₽ 16 предложений от 11 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 PNP 100V 16A
ЧипСити Россия	NTE250 NTE Electronics	662 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE250	1 701 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE250 NTE Electronics	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE250	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -100 В TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE249 (NPN) & NTE250 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE249 (NPN) and NTE250 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 3500 Typ @ IC = 10A D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Power Dissipation Pd: 150 Вт
• DC Collector Current: 16 А
• DC Current Gain Max (hfe): 1000
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +200°C

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K