Datasheet NTE251 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-3 — Даташит

Купить NTE251 на РадиоЛоцман.Цены — от 177 до 79 863 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 20А; 160Вт; TO3
AllElco Electronics Весь мир	NTE251	от 177 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NTE251 NTE Electronics	456 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE251 NTE Electronics	1 306 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE251	79 863 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE251 (NPN) & NTE252 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE251 (NPN) and NTE252 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for general­purpose amplifier and low­frequency switching applications.

Features: D High DC Current Gain @ IC = 10A: hFE = 2400 Typ (NTE251) hFE = 4000 Typ (NTE252) D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• DC Collector Current: 20 А
• DC Current Gain Max (hfe): 18000

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K