Datasheet NTE253 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-126 — Даташит
Наименование модели: NTE253
![]() 14 предложений от 10 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 4А; 40Вт; TO126 | |||
NTE253 | от 27 ₽ | ||
NTE253 NTE Electronics | 121 ₽ | ||
NTE253 | 569 ₽ | ||
NTE253MCP NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-126
Краткое содержание документа:
NTE253 (NPN) & NTE254 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE253 (NPN) and NTE254 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO126 type case designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.
Features: D High DC Current Gain: hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2A D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Resistors to Limit Leakage Multiplication Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- DC Current Gain Max (hfe): 2000
RoHS: есть