Datasheet NTE254 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -80 В, TO-126 — Даташит
Наименование модели: NTE254
![]() 17 предложений от 11 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 80В; 4А; 40Вт; TO126 | |||
NTE254 NTE Electronics | 159 ₽ | ||
NTE254 NTE Electronics | 283 ₽ | ||
NTE254 | от 347 ₽ | ||
NTE254 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, PNP, -80 В, TO-126
Краткое содержание документа:
NTE253 (NPN) & NTE254 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE253 (NPN) and NTE254 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO126 type case designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications.
Features: D High DC Current Gain: hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2A D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Resistors to Limit Leakage Multiplication Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80 В
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- DC Collector Current: 16 А
- DC Current Gain Max (hfe): 2000
RoHS: есть